束源炉的技术亮点和参数

束源炉的技术亮点和参数

束源炉技术亮点  

多温区独立控温：以裂解源为代表，蒸发区与裂解区可独立精确控温，灵活适配不同化合物半导体生长工艺。  

多坩埚/可换水冷设计：公司已取得"一种多坩埚蒸发源"**（CN223983714U），采用可拆卸水冷管与侧盖结构，更换不同长度水冷管即可适配不同蒸距，扩展了使用场景、简化了装拆。  

配套自研控制器：可搭配其自研E-beam蒸发源控制器、多功能温度控制器、膜厚控制仪/监测仪等电子控制部件，构成完整的束流与膜厚闭环控制。  

定制化服务：客户可依自身应用需求选配、定制适合的束源炉产品。  

特性与参数  

蒸发能力：蒸发温度可达≥3000℃，能够处理高熔点金属（如Zr、Ce、W等）。  

精密控制：具备0.01mm精度、25mm行程的线性推进机构，用于精确调节坩埚位置；束流发散度控制在±6°。  

真空兼容性：采用DN40CF（O.D.2.75''）安装法兰，烘烤温度200℃，支持超高真空环境。  

冷却方式：内部水冷，流量需求约1L/min。  

束流监控：监控范围宽达0.1nA~1mA，并采用特殊设计减少外界电磁场干扰。  

坩埚与样品：标配0.1cc坩埚，材料可选钨、钼、钽、石墨或定制；支持棒材（直径2~4mm）、颗粒或粉末样品。  

电气参数：灯丝电流0~5A（部分页面标注0~7A），加速电压0~2000V，**功率250W。  

型号注解示例：型号中包含“35”代表DN40CF法兰，“1”代表0.1cc坩埚容量，挡板可选气动（P）或手动（M）操作。  

配套控制器：保障束流稳定  

ACME为电子束蒸发源提供了两款专用控制器，核心特点是束流稳定、操作智能。  

1.电子束加热蒸发源控制器  

平台：基于嵌入式ARM+Linux系统，配备7英寸LCD触屏，支持USB、Ethernet接口及远程控制。  

工作模式：支持手动、恒高压、恒发射电流、恒功率、恒束流等多种模式一键切换。  

性能指标：束流检测范围100pA~1mA（自动量程），超低噪音（<1pA/√Hz）；高压输出0~2000V，功率250W；恒束流控制精度根据量程不同，可达0.1nA~1nA。  

特殊设计：束流转换器直接安装在蒸发源上，以最小化噪音和误差。  

2.偏转电子束蒸发源控制器  

特点：在集成灯丝电源和PID控制的基础上，增加了偏转功能，并支持3组外部互锁输入（可配置为真空度等保护信号）。  

高压参数：输出功率5kW，输出电压0～-6kV，输出电流0～800mA。  

其他参数：灯丝电压0~40V，电流0~20A，测温范围0~1200℃。